Samsung planea utilizar su segunda fábrica de semiconductores en Taylor, Texas, para producir componentes de memoria de alto ancho de banda (HBM) destinados a AMD y Nvidia. Según un reportaje publicado por el periódico surcoreano Maeil Business este martes (3), toda la capacidad de producción de la futura instalación ya estaría comprometida, con la mayor parte de los pedidos atribuida a AMD. Reuters se hizo eco de la información.
La unidad se dedicará a la fabricación de chips de base, chips lógicos que se encuentran en la base de las estructuras de memoria HBM. Estos componentes desempeñan funciones importantes en la comunicación entre las capas de memoria e influyen en su rendimiento y eficiencia energética, características relevantes para los aceleradores de inteligencia artificial.
La nueva fábrica utilizará un proceso avanzado de 2 nanómetros y ocupará aproximadamente 250 mil metros cuadrados, un área cerca de un 50% mayor que la de la primera instalación de Samsung en Taylor. Esta última ya tiene un contrato de fabricación de semiconductores con Tesla.
Aunque los trabajos preliminares de preparación del terreno ya han comenzado, la construcción principal está prevista para noviembre de 2026. El cronograma divulgado por Maeil Business establece la instalación de equipos a partir de febrero de 2029, seguida por el inicio de la producción en masa en 2030.
El periódico también informa que Samsung pretende combinar los componentes fabricados en Texas con chips DRAM producidos en Corea del Sur para entregar módulos completos de memoria HBM a los clientes.
El requisito de Nvidia para la próxima generación de HBM involucra a TSMC
La participación de Nvidia en los planes de la nueva fábrica presenta una particularidad. El 18 de octubre, el periódico surcoreano Seoul Economic Daily informó que la empresa había solicitado a Samsung, SK Hynix y Micron que utilizaran el proceso de 3 nanómetros de TSMC en la fabricación de los chips de base para su futura memoria personalizada, llamada NVHBM. La información también fue difundida por Reuters.
Ese requisito tendría como objetivo estandarizar el rendimiento de las memorias suministradas por diferentes fabricantes y reducir la complejidad de los procesos de validación. Samsung habría aceptado la condición, manteniendo su fabricación propia para modelos convencionales de HBM y soluciones personalizadas destinadas a otros clientes.
Según Maeil Business, la compañía también estaría evaluando la posibilidad de fabricar internamente componentes NVHBM en caso de que la capacidad disponible en TSMC no sea suficiente para atender la demanda. El requisito mencionado para esa memoria personalizada no permite concluir, por lo tanto, que todos los componentes destinados a Nvidia se producirán en la futura unidad de Texas.
El reportaje original señala además que los modelos HBM4 y HBM4E de Samsung utilizan chips de base fabricados en 4 nanómetros, mientras que la nueva instalación fue planificada para atender generaciones posteriores con procesos más avanzados.
Samsung no confirmó públicamente los pedidos atribuidos a AMD y Nvidia. Consultada por Reuters, la fabricante surcoreana no comentó la información sobre los clientes de la segunda fábrica.
