A Samsung planeja utilizar sua segunda fábrica de semicondutores em Taylor, no Texas, para produzir componentes de memória de alta largura de banda (HBM) destinados à AMD e à Nvidia. Segundo reportagem publicada pelo jornal sul-coreano Maeil Business nesta terça-feira (3), toda a capacidade de produção da futura instalação já estaria comprometida, com a maior parte das encomendas atribuída à AMD. A informação foi repercutida pela Reuters.
A unidade será dedicada à fabricação de base dies, chips de lógica que ficam na base das estruturas de memória HBM. Esses componentes desempenham funções importantes na comunicação entre as camadas de memória e influenciam seu desempenho e eficiência energética, características relevantes para aceleradores de inteligência artificial.
A nova fábrica utilizará um processo avançado de 2 nanômetros e ocupará aproximadamente 250 mil metros quadrados, área cerca de 50% maior que a da primeira instalação da Samsung em Taylor. Esta última já possui um contrato de fabricação de semicondutores com a Tesla.
Embora os trabalhos preliminares de preparação do terreno tenham começado, a construção principal está prevista para novembro de 2026. O cronograma divulgado pelo Maeil Business estabelece a instalação de equipamentos a partir de fevereiro de 2029, seguida pelo início da produção em massa em 2030.
O jornal também informa que a Samsung pretende combinar os componentes fabricados no Texas com chips DRAM produzidos na Coreia do Sul para entregar módulos completos de memória HBM aos clientes.
Exigência da Nvidia para próxima geração de HBM envolve a TSMC
A participação da Nvidia nos planos da nova fábrica apresenta uma particularidade. Em 18 de outubro, o jornal sul-coreano Seoul Economic Daily informou que a empresa havia solicitado à Samsung, à SK Hynix e à Micron que utilizassem o processo de 3 nanômetros da TSMC na fabricação dos chips de base para sua futura memória personalizada, chamada NVHBM. A informação também foi divulgada pela Reuters.
Essa exigência teria como objetivo padronizar o desempenho das memórias fornecidas por diferentes fabricantes e reduzir a complexidade dos processos de validação. A Samsung teria aceitado a condição, mantendo sua fabricação própria para modelos convencionais de HBM e soluções personalizadas destinadas a outros clientes.
Segundo o Maeil Business, a companhia também estaria avaliando a possibilidade de fabricar internamente componentes NVHBM caso a capacidade disponível na TSMC não seja suficiente para atender à demanda. A exigência relatada para essa memória personalizada não permite concluir, portanto, que todos os componentes destinados à Nvidia serão produzidos na futura unidade do Texas.
A reportagem original aponta ainda que os modelos HBM4 e HBM4E da Samsung utilizam chips de base fabricados em 4 nanômetros, enquanto a nova instalação foi planejada para atender gerações posteriores com processos mais avançados.
A Samsung não confirmou publicamente os pedidos atribuídos à AMD e à Nvidia. Procurada pela Reuters, a fabricante sul-coreana não comentou as informações sobre os clientes da segunda fábrica.
